Infineon TT104N12KOF

Отличный выбор! Infineon TT104N12KOF — это высокоэффективный силовой транзистор в корпусе TO-247, относящийся к современному поколению OptiMOS™ 5 120V. Он сочетает в себе исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокую скорость переключения, что делает его идеальным для требовательных приложений.

Описание и основные особенности

TT104N12KOF — это N-канальный MOSFET с напряжением сток-исток 100 В (классифицируется в линейке 120V). Его ключевая особенность — рекордно низкое значение RDS(on) всего 1.04 мОм при 10 В на затворе. Это достигается благодаря передовой технологии TrenchFET от Infineon.

Основные преимущества:

• Сверхнизкие потери проводимости: Минимальное падение напряжения и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая эффективность переключения: Быстрая работа благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая надежность: Прочная конструкция, устойчивая к перегрузкам.
• Оптимизирован для синхронного выпрямления и мощных импульсных преобразователей: Идеален для работы в качестве нижнего (low-side) ключа в мостовых схемах.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 100 В | - | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 1.04 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 100 А | | | 1.4 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 100 А | | Постоянный ток стока (I_D) | 830 А | При T_C = 25°C | | | 200 А | При T_C = 100°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 2400 А | - | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В (макс.) | - | | Полный заряд затвора (Q_g(tot)) | ~ 255 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.3 - 3.7 В | - | | Выходная емкость (C_oss) | ~ 5200 пФ (тип.) | - | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | Очень низкое | Благодаря технологии OptiMOS | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC) | 0.12 К/Вт | - | | Корпус | TO-247 | С открытой металлической площадкой для лучшего теплоотвода |

Области применения

• Системы питания автомобилей: Высокотоковые DC/DC преобразователи (например, для 48/12 В), управление электродвигателями, eTurbo.
• Силовые источники питания: Серверные, телекоммуникационные, промышленные БП (синхронное выпрямление во вторичной стороне, цепи OR-ing).
• Инверторы и приводы двигателей: ШИМ-инверторы, сервоприводы.
• Сварочное оборудование.
• Системы управления батареями (BMS) в высокотоковых цепях.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (разные корпуса/маркировки):

• IPP104N12N5 (TO-220 FullPAK) — аналог в корпусе TO-220 с изолированной площадкой.
• В рамках серии OptiMOS™ 5 120V существуют модели с близкими параметрами, но другим RDS(on) (например, TT124N12KOF - 1.24 мОм, TT084N12KOF - 0.84 мОм). Выбор зависит от требуемого баланса стоимости и эффективности.

2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей (аналоги по ключевым параметрам): При поиске замены необходимо сверять V_DSS, R_DS(on), I_D, Q_g и корпус.

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FDBL86062_F085 (100 В, 0.85 мОм, TO-247) — очень близкий по характеристикам, часто используется как альтернатива.
• STMicroelectronics:
  • STH320N10F7-6 (100 В, 1.2 мОм, TO-247) — из серии STPOWER MOSFET.
• Vishay Siliconix:
  • SIRA104DP-T1_GE3 (100 В, 1.7 мОм, TO-247) — надежная альтернатива.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOT210S60 (100 В, 2.1 мОм, TO-247) — может подойти в менее требовательных схемах.

3. Важные примечания по совместимости:

• Не является прямым аналогом для устаревших поколений MOSFET (например, IRF1405 и подобных), так как имеет на порядок лучшие параметры и требует внимания к управлению затвором из-за высокой скорости.
• Перед заменой всегда необходимо проверять распиновку (pinout) и характеристики диода обратного восстановления, особенно в схемах с жесткой коммутацией.
• Для оптимальной работы с такими высокоскоростными MOSFET критически важно правильно рассчитать драйвер затвора (достаточный ток, низкая индуктивность цепи), использовать снабберные цепи при необходимости и обеспечить качественный теплоотвод.

Рекомендация: Для выбора окончательного аналога всегда используйте официальные даташиты и сравнительные таблицы параметров, особенно обращая внимание на графики зависимостей RDS(on) от тока и температуры.