Infineon TT162N12KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового транзистора Infineon TT162N12KOF.

Общее описание

Infineon TT162N12KOF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к линейке высокоэффективных низковольтных ключей, разработанных для требовательных приложений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность этой модели — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), что обеспечивает высокий КПД и снижение тепловыделения. Корпус TO-220 делает его подходящим для монтажа на радиатор в мощных системах.

Основное назначение: Используется в силовых электронных устройствах в качестве ключа для управления большими токами, например:

• Источники питания (SMPS) и преобразователи DC-DC
• Моторные приводы и контроллеры двигателей
• Инверторы (например, в UPS, солнечных инверторах)
• Сварочное оборудование
• Системы управления батареями (BMS)

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel Power MOSFET (HEXFET) | | | Технология | OptiMOS™ 5 | 5-е поколение, оптимизировано для КПД | | Корпус | TO-220-3 (Through-Hole) | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Структура | Single | | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 120 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (ID) | 162 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток стока (импульсный) (IDM) | 648 А | Максимальный кратковременный пиковый ток | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.2 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При VGS=10 В, ID=81 А, Tj=25°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.3 - 4.1 В | Тип. 3.2 В | | Напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±20 В | Максидопустимое напряжение на затворе | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 235 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения и потери на управление | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 417 Вт | При температуре корпуса 25°C (на радиаторе) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Класс применения | Industrial, Automotive | Высокая надежность |

Главные преимущества:

1. Сверхнизкое RDS(on): Прямо ведет к меньшим потерям на проводимость.
2. Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg, Qgd).
3. Высокая стойкость к перегрузкам: Большой максимальный импульсный ток.
4. Высокая надежность: Соответствие промышленным и, для некоторых версий, автомобильным стандартам.

Парт-номера и аналоги

Обычно один и тот же кристалл (чип) производитель поставляет в разных корпусах или под разными номерами для различных рынков.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon (с тем же кристаллом):

• IPP062N12N5 G / IPP062N12N5 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки). Часто используется как полный аналог по электрическим параметрам.
• TT162N12KOF E6991 — полное обозначение с трекинг-кодом.
• Для других корпусов: существуют аналоги в корпусах D²PAK (TO-263), SuperSO8 и др., но с другим префиксом в названии (например, IPT...).

Кросс-производители (функционально совместимые аналоги): Важно: При замене аналогом от другого производителя необходимо сверить ВСЕ ключевые параметры (VDS, ID, RDS(on), Qg, корпус) и цоколевку.

• Vishay (Siliconix): Модели серии SUP85N12-xx (например, SUP85N12-21).
• ON Semiconductor (Fairchild): Модели серии FDP или NTMFS (например, NTMFS5C670N).
• STMicroelectronics: Модели из серии STP или STW (например, STP160N12F7).
• Nexperia: Модели в корпусах D²PAK.

Как искать аналоги:

1. Используйте параметрический поиск на сайтах дистрибьюторов (LCSC, Mouser, Digi-Key, TME).
2. Задайте фильтры: N-Channel, 120V, RDS(on) < 1.5mOhm, ID > 150A, TO-220.
3. Внимательно сравнивайте графики характеристик (зависимость RDS(on) от тока, заряды затвора).

Совместимые модели для замены (подбор)

При замене TT162N12KOF можно рассматривать следующие модели с аналогичными или лучшими параметрами:

| Модель (производитель) | VDS | ID | RDS(on) | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | IPP062N12N5 G (Infineon) | 120 В | 162 А | 1.2 мОм | TO-220 FullPAK | Прямой аналог, другой корпус | | IRFS4315ZPBF (Infineon/IR) | 150 В | 104 А | 2.5 мОм | TO-220 | Более старое поколение, выше сопротивление | | STP160N12F7 (ST) | 120 В | 160 А | 1.8 мОм | TO-220 | Хороший функциональный аналог | | FDP088N12B (ON Semi) | 120 В | 88 А | 3.4 мОм | TO-220 | Слабее по току, замена в менее требовательных схемах | | SUP85N12-21 (Vishay) | 120 В | 85 А | 2.1 мОм | TO-220 | Слабее по току, требует проверки |

ВАЖНОЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ по замене:

1. Корпус: Обращайте внимание на тип TO-220 (стандартный с площадкой, FullPAK, изолированный).
2. Параметры переключения: Для высокочастотных схем критически важно сравнивать заряды затвора (Qg, Qgd). Аналог с большим зарядом может перегревать драйвер.
3. Цоколевка (Pinout): Всегда проверяйте расположение выводов (Gate, Drain, Source) на datasheet заменяемой модели. У большинства TO-220 стандартная цоколевка (слева-направо: G-D-S), но бывают исключения.
4. Тепловой режим: Даже при лучшем RDS(on) убедитесь, что конструкция радиатора обеспечивает отвод тепла.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости и надежности работы лучше всего использовать прямой аналог от Infineon — IPP062N12N5 G или оригинальный TT162N12KOF. Замена на модель другого производителя требует тщательного анализа работы конкретной схемы.