Infineon TT250N12KOF

Отличный выбор! Infineon TT250N12KOF — это высокоэффективный силовой транзистор в популярном корпусе TO-247, разработанный для требовательных применений. Вот подробное описание, характеристики и совместимость.

Краткое описание

TT250N12KOF — это N-канальный MOSFET с очень низким сопротивлением в открытом состоянии (Rds(on)) и высокой энергоэффективностью. Он принадлежит к семейству OptiMOS™ 5, которое славится оптимальным балансом между производительностью, надежностью и стоимостью.

Ключевые преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление Rds(on): Минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая устойчивость к перегрузкам: Большой запас по току и мощности.
• Повышенная надежность: Технология OptiMOS™ обеспечивает высокую стойкость к лавинным пробоям.
• Планарная (Planar) технология: Обеспечивает стабильность параметров и хорошую повторяемость.

Основные области применения:

• Силовые источники питания: Серверные, телекоммуникационные, промышленные БП (синхронные выпрямители, PFC-каскады).
• Моторные приводы и инверторы: Для управления электродвигателями (например, в промышленном оборудовании, вентиляторах).
• Системы возобновляемой энергии: Инверторы для солнечных панелей, контроллеры заряда.
• Сварочное оборудование.
• Высокотоковые преобразователи DC-DC.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Корпус | TO-247 | С изолированным фланцем (модели с "OF") | | Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока (Id) | 39 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 156 А | — | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.250 Ом (250 мОм) | Ключевой параметр! При Vgs=10 В, Id=19.5 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 115 нКл | При Vgs=10 В | | Входная емкость (Ciss) | ~ 3000 пФ | — | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт | При Tc=25°C | | Диод "body-diode" | Есть | Встроенный обратный диод | | Температура хранения/перехода | -55 ... +175 °C | — | | Особенность | 100% тестирование на лавинную стойкость (UIS) | Гарантирует надежность в индуктивных схемах |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (включая снятые с производства):

• SPW47N60C3 / SPW47N60C3FKSA1 — Более старая модель с близкими параметрами (47A, 0.069 Ом, 650В). Внимание! Напряжение ниже (650В), проверяйте запас по напряжению в схеме.
• IPP60R190C6 / IPP60R190C6FKSA1 — Из семейства CoolMOS™ C6 (600В, 0.190 Ом). Для применений до 600В.
• IPA60R190C6 / IPA60R190C6FKSA1 — Тот же чип, что и IPP60R190C6, но в корпусе TO-220.
• Более новые поколения OptiMOS™ 6 или 7 для напряжений 600-650В могут быть альтернативой в соответствующих схемах, но аналога на 1200В в новых линейках нужно искать отдельно.

2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей (Функциональные аналоги):

При поиске аналога обязательно сверяйте распиновку (pinout) и характеристики, особенно заряды (Qg, Ciss) и пороговое напряжение (Vgs(th)), для корректной работы драйвера.

• STMicroelectronics:
  • STW48N60M2 (600В, 48А, 0.065 Ом) — Аналог по току и корпусу, но на 600В.
  • STW20NM60FD (600В, 20А, 0.19 Ом, MDmesh™) — Для ключевых применений.
  • Для 1200В стоит смотреть на серии MDmesh™ M2 или MDmesh™ DK5.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCH47N60F (600В, 47А, 0.069 Ом, SuperFET® II) — Близкий аналог по параметрам (600В).
  • FCP11N60F / FCPF11N60FT — Из семейства SuperFET®.
  • Для 1200В — серия SuperJunction MOSFETs.
• Vishay Siliconix:
  • SUP60N08-10 (80В, 60А) — Для низковольтных применений.
  • SQJ480EP (600В, 14А, в корпусе PowerPAK® 8x8).
• IXYS (ныне часть Littelfuse):
  • Компания известна высоковольтными компонентами. Модели типа IXFH39N30P (300В) или серии HV MOSFET для 1200В.

3. Важные замечания по совместимости:

• Напряжение 1200В — это ключевая характеристика TT250N12KOF. Многие популярные аналоги (вроде 47N60) рассчитаны на 600-650В. Замена на транзистор с меньшим напряжением возможна ТОЛЬКО если в вашей схеме максимальное напряжение с запасом ниже 600В.
• Корпус TO-247 является отраслевым стандартом, поэтому механическая совместимость с платой обычно сохраняется.
• Обязательна проверка цоколевки (распиновки). Хотя у TO-247 она часто стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), бывают исключения, особенно в изолированных версиях.
• Для прямой замены в существующей схеме критически важно сравнить динамические характеристики: Qg, Ciss, Coss, Crs, td(on/off), tr/f. Различия могут привести к перегреву драйвера, увеличению потерь при переключении или самовозбуждению.

Рекомендация: Для выбора точного аналога всегда используйте параметрический поиск на сайтах дистрибьюторов (например, LCSC, Findchips, Octopart) или производителей, задав ключевые параметры: Vds=1200В, Id ~40А, Rds(on) < 0.3 Ом, Корпус: TO-247.