Infineon TT250N16KOF

Отличный выбор! Infineon TT250N16KOF — это мощный и надежный IGBT-транзистор, разработанный для требовательных промышленных применений. Вот подробное описание и вся ключевая информация о нем.

Краткое описание

TT250N16KOF — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-264, рассчитанный на высокое напряжение и большой ток. Его ключевая особенность — встроенный быстрый обратный диод (FWD - Free Wheeling Diode) в одном корпусе, что упрощает проектирование и сборку мощных преобразовательных схем.

Основное назначение: Применяется в силовой электронике, где требуется эффективное переключение больших мощностей:

• Промышленные инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Ключевые преимущества:

• Низкое напряжение насыщения (V_CE(sat)): Обеспечивает меньшие потери проводимости и, как следствие, более высокий КПД и меньший нагрев.
• Встроенный быстрый диод: Упрощает схему, защищая транзистор от обратных выбросов напряжения.
• Высокая стойкость к перегрузкам по току: Короткозамыкательная стойкость (SCSOA) до 10 мкс.
• Планарная (Planar) технология: Обеспечивает хороший баланс между скоростью переключения и устойчивостью.

Технические характеристики (основные)

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Постоянный ток коллектора (I_C) при T_c=25°C: 250 А
• Ток коллектора (I_C) при T_c=80°C: 150 А (важно для реального расчета!)
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 500 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): типично 2.35 В (при I_C=250А, V_GE=15В)
• Напряжение отпирания затвора (V_GE): ±20 В (стандартное для IGBT, обычно работают при +15В/-15В или +15В/0В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4.5 - 6.5 В
• Общие потери (P_tot): 830 Вт
• Температура перехода (T_vj): -40 до +150 °C
• Встроенный обратный диод:
  • Непрерывный прямой ток (I_F): 250 А
  • Импульсный прямой ток (I_FSM): 500 А
  • Прямое напряжение диода (V_F): типично 2.0 В
• Корпус: TO-264 (аналогичен TO-3P, три вывода)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, наличие диода, а также характеристики диода.

Прямые аналоги и совместимые модели:

1. От Infineon (прямые аналоги или очень близкие по характеристикам):

• TT300N16KOF — более мощный брат (300А), в том же корпусе. Подходит, если требуется запас по току.
• TT150N16KOF — менее мощный (150А), в том же корпусе. Подходит, если токи в схеме ниже.
• IKW40N160H3 — более современная серия IGBT7 от Infineon (технология TRENCHSTOP™ 7). Имеет лучшие характеристики (ниже V_CE(sat) и потери), но требует проверки совместимости по выводам и характеристикам драйвера. Корпус TO-247-3.
• IKW75N160H3 (в TO-247) — также из серии IGBT7, мощный аналог.

2. От других производителей (функциональные аналоги):

• STMicroelectronics:
  • STGW250H16DF — очень близкий аналог (1600В, 250А, с диодом, корпус TO-247).
  • STGW250H16D — возможно, без диода.
• Fuji Electric:
  • 2MBI250N-160 — модуль на два IGBT (полумост), но каждый ключ на 250А/1600В.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FGH40T160SMD (1600В, 40А — слабее, нужен поиск более мощных, например, серии FGH60N160SMD).
  • HGTG30N160B3 (1600В, 60А — также менее мощный).
  • (ON Semi имеет меньше прямых аналогов на такой большой ток в дискретном корпусе).
• IXYS (ныне часть Littelfuse):
  • IXGH250N160 — классический аналог (250А, 1600В, TO-264).
  • IXGH250N16C2 — улучшенная версия.
  • IXGH250N16B3 — еще одна версия с оптимизированными характеристиками.

Важные примечания по замене:

1. Корпус: Убедитесь, что корпус (TO-264) и расположение выводов (распиновка) совпадают.
2. Встроенный диод: Критически важно, если в вашей схеме он используется. Замена на транзистор без диода потребует установки внешнего диода.
3. Характеристики диода: У аналога должны быть сопоставимые I_F и V_F.
4. Емкость затвора и заряд (Q_g): Для корректной работы драйвера эти параметры должны быть близки. У более современных моделей (IGBT7) они могут отличаться.
5. Рабочая частота: TT250N16KOF — транзистор для низко- и среднечастотных применений (до нескольких кГц). Для ВЧ-схем нужны другие серии.

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Typical Performance Characteristics. Для прямого "дроп-ин" (прямой замены без переделки схемы) лучшими кандидатами являются IXGH250N160 и STGW250H16DF (с учетом корпуса).