Infineon TT251N14KOF

Infineon TT251N14KOF
Артикул: 565253

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon TT251N14KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon TT251N14KOF.

Общее описание

Infineon TT251N14KOF — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к серии, разработанной специально для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике. Ключевыми преимуществами являются чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение. Корпус TO-220 обеспечивает хороший баланс между эффективным отводом тепла и удобством монтажа.

Этот транзистор оптимально подходит для приложений, где критичны КПД и плотность мощности.


Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Logic Level) | Управляется низким напряжением (до 10В) | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-220 | | | Полярность | Single | | | Структура | Повышающий | |

1. Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings):

  • Напряжение "сток-исток" (VDSS): 140 В
  • Непрерывный ток стока (ID) при TC=25°C: 251 А
  • Импульсный ток стока (IDM): 1004 А
  • Мощность рассеяния (Ptot): 520 Вт
  • Максимальная температура перехода (TJ): +175 °C
  • Напряжение "затвор-исток" (VGS): ±20 В

2. Электрические характеристики (при Tj=25°C, если не указано иное):

  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
    • При VGS=10 В: 0.85 мОм (макс.)
    • При VGS=4.5 В: 1.1 мОм (макс.) (важно для логических уровней)
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2.1 - 4 В (тип. 2.7 В)
  • Общий заряд затвора (Qg) при VGS=10 В: ~220 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера.
  • Входная емкость (Ciss): ~9500 пФ (тип.)
  • Выходная емкость (Coss): ~1300 пФ (тип.)

3. Диодные характеристики:

  • Встроенный обратный диод: Есть (Body-Diode)
  • Прямой ток диода (ISD): 251 А
  • Прямое напряжение диода (VSD): ~1.4 В (тип.)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (разные корпуса/маркировки):

  • IPP251N14N3 G (в корпусе TO-220 FullPAK - полностью пластиковый, без металлической площадки) — самый близкий и полный аналог, идентичные характеристики кристалла.
  • IPT251N14N3 G (в корпусе D²PAK (TO-263)) — для поверхностного монтажа (SMD).
  • SPW251N14S3K0 (в корпусе SuperSO8) — для компактных SMD-решений (токи ниже из-за корпуса).

2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей (требуется проверка даташитов и характеристик в конкретной схеме):

  • Vishay / Siliconix: Модели серии SFD25N... или SUD25N..., но с аналогичным RDS(on) найти сложно.
  • ON Semiconductor / Fairchild: FDP25..., FDB25...
  • STMicroelectronics: STP25..., STW25...
  • IXYS: Модели серии IXFH25...
  • При поиске аналога ключевые параметры для сравнения: V<sub>DSS</sub> ≥ 140В, I<sub>D</sub> ≥ 250А, R<sub>DS(on)</sub> @10В ≤ 0.9мОм, Корпус TO-220.

Типичные области применения

TT251N14KOF используется в схемах, требующих управления большими токами с высокой эффективностью:

  • Силовые источники питания: Высокотоковые выходные каскады (например, для серверов, телекоммуникаций), синхронные выпрямители в LLC-конвертерах.
  • Управление двигателями: ШИМ-инверторы для электромобилей, промышленных моторов, мощных вентиляторов.
  • Сварочное оборудование: Силовые ключи в инверторных блоках.
  • DC-DC преобразователи: В синхронных понижающих (Buck) конвертерах большой мощности.
  • Системы бесперебойного питания (ИБП): В силовой части инвертора и выпрямителя.

Важные замечания по применению

  1. Управление: Несмотря на логический уровень, для быстрого переключения такого мощного MOSFET с низким RDS(on) и высокой входной емкостью необходим специализированный драйвер затвора с достаточным выходным током (несколько ампер).
  2. Охлаждение: При работе с большими токами обязателен эффективный теплоотвод (радиатор). Корпус TO-220 изолирован от кристалла слюдяной или керамической прокладкой.
  3. Паразитная индуктивность: Монтаж должен быть максимально коротким, особенно в силовых цепях стока/истока и цепи затвора, чтобы избежать выбросов напряжения и колебаний.

Рекомендация: Для критичных применений всегда обращайтесь к официальному даташиту (Datasheet) Infineon на модель TT251N14KOF или его прямого аналога IPP251N14N3 G для получения самой актуальной и полной информации.

Товары из этой же категории