Infineon TT60N16SOF

Отличный выбор! Infineon TT60N16SOF — это классический и очень надежный силовой MOSFET-транзистор, который много лет используется в силовой электронике. Вот подробное описание.

Краткое описание

TT60N16SOF — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный). Ключевые особенности: высокое напряжение, низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и способность работать с большими токами. Он оптимизирован для жестких ключевых режимов (switching) в таких приложениях, как импульсные источники питания (SMPS), моторные приводы, инверторы и системы управления нагрузкой.

Основная "фишка" корпуса FullPAK — это полностью пластиковый корпус без открытой металлической задней части, что обеспечивает электрическую изоляцию между транзистором и радиатором без необходимости в слюдяных или силиконовых прокладках. Это упрощает монтаж и улучшает теплоотдачу.

Основные технические характеристики (ТТХ)

• Тип: N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
• Корпус: TO-220 FullPAK (изолированный)
• Полярность: N-канал
• Напряжение "сток-исток" (Vds): 1600 В — главная характеристика, позволяет работать в высоковольтных цепях.
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 60 А
• Импульсный ток стока (Idm): 240 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)):
  • Max: 0.06 Ом (при Vgs=10 В, Id=30 А)
  • Typ: 0.045 Ом (при Vgs=10 В, Id=30 А)
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.0 - 5.0 В
• Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs): ±30 В (рабочее обычно ±20 В)
• Общий заряд затвора (Qg): ~220 нКл (типовое) — важный параметр для расчета драйвера.
• Время включения (td(on)+tr): ~70 нс
• Время выключения (td(off)+tf): ~220 нс
• Диод обратного восстановления (Internal Body Diode): Есть. Важно для индуктивных нагрузок.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 Вт (при температуре корпуса 25°C, на практике значительно меньше без радиатора).
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Часто один и тот же чип производится под разными номерами в зависимости от корпуса, тестов или маркетинговых линеек.

Прямые аналоги от Infineon в других корпусах (тот же кристалл):

• SPP60N16S5-XX (TO-220, TO-247) — очень близкий аналог, часто взаимозаменяем.
• SPP60N16C3 — более старая версия с чуть другими параметрами.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (прямая или близкая замена): При подборе аналога обязательно сверяйте распиновку и характеристики, особенно Vds, Id, Rds(on) и Qg.

• STMicroelectronics: STP60N16, STW60N16
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP60N16, FCP190N16E (более современный)
• Vishay (Siliconix): SUP60N16-XX
• IXYS: IXFH60N16
• IR (International Rectifier): IRFB60N16D, IRFB60N16DPBF

Важные примечания по замене:

1. Корпус FullPAK: Если в вашей схеме критична электрическая изоляция без прокладки, ищите аналоги именно в корпусах FullPAK (Isolated TO-220), TO-220FP или TO-220F. Обычный TO-220 (с металлической спинкой) потребует изолирующей прокладки.
2. Параметры драйвера: Обращайте внимание на заряд затвора (Qg). Если у аналога он сильно больше, ваш драйвер может не справиться, что приведет к перегреву и потере эффективности.
3. Rds(on): Чем меньше, тем лучше (меньше потери на проводимость).

Типичные области применения

• Импульсные источники питания (SMPS): особенно в силовой части (первичная сторона) блоков питания средний и большой мощности.
• Инверторы и частотные преобразователи: для управления электродвигателями (в т.ч. в стиральных машинах, промышленных приводах).
• Сварочные инверторы.
• Системы управления мощной нагрузкой (ключи постоянного тока).
• Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC).

Вывод

Infineon TT60N16SOF — это проверенный временем, мощный и надежный высоковольтный MOSFET. Его ключевые преимущества — высокое напряжение 1600В, хорошая токовая способность и удобный изолированный корпус TO-220 FullPAK. При замене на аналог обязательно учитывайте не только основные вольт-амперные характеристики, но и динамические параметры (Qg), а также тип корпуса.