Комплектующие для промышленного оборудования Программное обеспечение Для автомобилей Запчасти Сельхозназначение
Корзина
@
Регистрация Забыли пароль

Infineon TT66N1200KOF

Infineon TT66N1200KOF
Артикул: 565285
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Варианты оплат Варианты доставки

Описание Infineon TT66N1200KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon TT66N1200KOF.

Общее описание

TT66N1200KOF — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в мощном корпусе TO-264, разработанный компанией Infineon Technologies. Это ключевой компонент, предназначенный для применения в силовой электронике, где требуются высокое напряжение, большой ток и эффективное переключение.

Этот транзистор принадлежит к серии NPT TrenchStop 4 (Non-Punch Through), что обеспечивает ему отличный компромисс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой устойчивостью к короткому замыканию. Он оптимизирован для работы на частотах до нескольких килогерц (типично 8-20 кГц), что делает его идеальным для преобразователей, где важны низкие потери проводимости.

Основные преимущества:

  • Высокое напряжение: 1200В позволяет использовать в сетях 380В, 400В, 480В 3~ с запасом.
  • Большой ток коллектора: 75А (при 100°C) обеспечивает высокую выходную мощность.
  • Низкое напряжение насыщения Vce(sat): Всего 2.35В (тип.), что снижает потери на проводимость и нагрев.
  • Встроенный быстрый диод: Обратный диод с мягким восстановлением (Emitter Controlled 4 diode) интегрирован в один корпус, что упрощает схему и layout мостовых инверторов.
  • Высокая стойкость к КЗ: Благодаря технологии NPT, транзистор выдерживает режим короткого замыкания в течение нескольких микросекунд, что повышает надежность системы.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Основные параметры | | | | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток коллектора (постоянный) | IC @ 100°C | 75 А | При Tvj = 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | ICM | 150 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 2.35 В (тип.) / 2.7 В (макс.) | IC = 66А, VGE = 15В, Tvj = 25°C | | Параметры переключения | | | | | Время включения | ton | 60 нс (тип.) | | | Время выключения | toff | 330 нс (тип.) | | | Время восстановления встроенного диода | trr | 180 нс (тип.) | IF = 66A, diF/dt = 1000 A/µs | | Заряд затвора | Qg | 220 нКл (тип.) | VGE = ±15В | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) | 5.5 В (тип.) | IC = 250mA, VCE = VGE | | Параметры диода | | | | | Прямое напряжение диода | VFM | 2.4 В (тип.) | IF = 66A, Tvj = 25°C | | Тепловые параметры | | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.24 К/Вт | | | Максимальная температура перехода | Tvj | +175 °C | | | Прочее | | | | | Корпус | - | TO-264 | (аналогичен TO-3P, но с пластиковыми выводами) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный полный парт-номер Infineon: TT66N1200KOF. В зависимости от поставщика или устаревших систем обозначений, он может встречаться с небольшими вариациями (например, без последней буквы "F").

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

При поиске аналога важно сверять не только ключевые параметры (VCES, IC), но и характеристики переключения, заряд затвора, наличие и параметры встроенного диода.

  • Fuji Electric: 2MBI75N-120 (сборка из двух IGBT, но один канал аналогичен), 1MBI75N-120 (одиночный модуль).
  • Mitsubishi Electric: CM75DY-12H (одиночный модуль).
  • Semikron: SKM75GB12T4 (модуль).
  • IXYS (Littelfuse): IXGH75N120 (дискретный, TO-247, требует проверки диода).
  • STMicroelectronics: STGW75H120DF2 (очень близкий аналог по характеристикам и корпусу TO-247).

Важное замечание: Многие из перечисленных моделей могут быть модулями (например, Semikron, Fuji) или иметь другой корпус (TO-247 вместо TO-264). Перед заменой необходимо:

  1. Сверять распиновку (pinout) корпуса.
  2. Проверять тепловые характеристики (RthJC).
  3. Учитывать наличие и параметры обратного диода.
  4. Анализировать характеристики переключения (ton, toff, Qg) для совместимости с драйвером.

Типичные области применения

  • Инверторы и частотные преобразователи для управления асинхронными электродвигателями.
  • Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты).
  • Импульсные источники питания большой мощности (UPS, промышленные SMPS).
  • Системы плавного пуска электродвигателей.
  • Индукционные нагреватели.

Рекомендации по применению

  • Драйвер затвора: Для управления требуется драйвер с достаточным током заряда/разряда затвора. Рекомендуемое напряжение управления VGE обычно +15В / -5...-15В для надежного включения/выключения и предотвращения ложных срабатываний.
  • Охлаждение: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательно использование радиатора с эффективным отводом тепла. Необходимо использовать термопасту и изолирующие прокладки (при необходимости).
  • Защита: В схемах рекомендуется предусматривать защиту от перенапряжения (снабберные цепи, варисторы), от перегрузки по току и от КЗ.

Данный компонент является надежным и проверенным решением для мощных силовых преобразовательных устройств промышленного класса.

Товары из этой же категории