Infineon TZ800N12KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового транзистора Infineon TZ800N12KOF.

Общее описание

Infineon TZ800N12KOF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TRENCHSTOP™ 5. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных решений в области силовой электроники.

Основное назначение: Применяется в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в корректорах коэффициента мощности (PFC), и в схемах инверторов/преобразователей, где требуются высокое напряжение, большой ток и минимальные потери.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии TRENCHSTOP™ 5 и низким зарядам затвора (Qg), что снижает динамические потери.
• Оптимизированный внутренний диод (Body Diode): Имеет низкое время обратного восстановления (Qrr) и мягкую характеристику восстановления, что критично для работ в режиме коррекции коэффициента мощности (PFC).
• Повышенная устойчивость к перегрузкам: Высокая стойкость к импульсным току и мощности.

Технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | TRENCHSTOP™ 5, OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-247 | 3 вывода, изолированный монтажный фланец (Isolated) | | Структура | Планар | | | Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Постоянный ток стока (Id) | 18 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 72 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.8 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=9 А | | | 0.48 Ом (тип.) | При Vgs=10 В, Id=9 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 44 нКл (тип.) | При Vds=800 В, Id=18 А, Vgs=10 В | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | ~ 1.5 мкКл (тип.) | Критично для PFC | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая +175°C | | Крутизна передачи (S) | 16 См (тип.) | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Иногда один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах или под разными маркетинговыми обозначениями.

Прямые аналоги и варианты в других корпусах от Infineon:

• IPP800N12KOF — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированным фланцем). Имеет те же электрические параметры, но меньшую максимальную рассеиваемую мощность из-за корпуса.
• SPW35N60CFD — устаревшая модель из предыдущего поколения (технология CFDA). Может рассматриваться как функциональный аналог, но с худшими динамическими характеристиками (выше Qrr, Rds(on)).

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические (Qg, Qrr), а также характеристики внутреннего диода.

• STMicroelectronics:
  • STW48N60DM2 (MDmesh™ DM2, 0.65 Ом)
  • STW45NM60FD (MDmesh™ II, 0.19 Ом, но это более низковольтная серия 600В, требует осторожности).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP190N12 (SuperFET® III, 0.19 Ом) — обратите внимание: у этой модели Rds(on) значительно ниже, она более мощная и может быть прямым апгрейдом по производительности.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXFH18N120 (0.8 Ом) — классический высоковольтный MOSFET.

Важное предупреждение по замене: Перед заменой обязательно сверяйте распиновку (pinout) корпуса, особенно если плата не рассчитана на изолированный фланец. Также необходимо убедиться, что драйвер затвора может обеспечить необходимый зарядный/разрядный ток для нового транзистора (особенно если Qg отличается). TZ800N12KOF оптимизирован для PFC, поэтому параметр Qrr для него критичен.

Типичные области применения

1. Корректоры коэффициента мощности (PFC): В блоках питания для серверов, ПК, промышленного оборудования.
2. Импульсные источники питания (SMPS): В силовой части преобразователей AC/DC и DC/DC.
3. Инверторы: В системах солнечной энергетики, ИБП (бесперебойных источниках питания), частотных приводах.
4. Сварочное оборудование.

Вывод: Infineon TZ800N12KOF — это высококачественный, надежный MOSFET для профессиональных и промышленных решений, где на первом месте стоит энергоэффективность, надежность и компактность. Его основная "ниша" — высокочастотные ВЧ-преобразователи и PFC-каскады на мощность до нескольких киловатт.