Infineon V23806-a8-c13
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon V23806-a8-c13
Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля Infineon V23806-A8-C13.
Общее описание
Infineon V23806-A8-C13 — это силовой полупроводниковый модуль формата SEMITRANS 2, представляющий собой полумостовую (Half-Bridge) конфигурацию на основе IGBT-транзисторов с диодами обратного хода (антипараллельными). Это модуль второго поколения (IGBT2/TrenchStop) с низким напряжением насыщения.
Модуль предназначен для использования в мощных импульсных преобразователях, частотно-регулируемых приводах (ЧРП), источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных инверторах. Его ключевые особенности — высокая надежность, низкие динамические потери и удобство монтажа на охлаждающий радиатор.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация схемы | Полумост (Half-Bridge) | 2 IGBT + 2 диода в стандартной полумостовой топологии | | Класс напряжения (VCES) | 600 В | Напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (IC при Tvj=80°C) | 8 А | Ток коллектора каждого IGBT | | Ток импульса (ICP) | 16 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (тип.) при IC=8А | Низкое значение, снижает conduction losses | | Падение напряжения на диоде (VF) | ~1.9 В (тип.) при IF=8А | | | Максимательная рабочая температура перехода (Tvj) | +150 °C | | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | Rth(j-c) ≤ 1.75 К/Вт (на ключ) | Важно для расчета системы охлаждения | | Монтаж | Винтовое соединение (M3) | Для силовых и управляющих выводов. Монтаж на радиатор через термопасту. | | Корпус | SEMITRANS 2 | Стандартный изолированный корпус (базовая плата — Al2O3 керамика). | | Вес | ~ 25 г | | | Изоляционное напряжение | 2500 VRMS (мин.) | Между кристаллами и базовой платой (радиатором) |
Ключевые особенности:
- Технология TrenchStop: Обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями проводимости и малым временем переключения.
- Быстрые антипараллельные диоды: Способствуют снижению коммутационных потерь и повышению надежности.
- Изолированный медный основание: Позволяет монтировать несколько модулей на общий радиатор без изолирующих прокладок, улучшая тепловой отвод.
- Внутренняя шина постоянного тока: Уменьшает паразитную индуктивность в силовой цепи.
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Модель может иметь различные суффиксы, указывающие на упаковку или незначительные модификации. Основная часть номера — V23806.
Прямые аналоги и замены от Infineon (с идентичным расположением выводов и характеристиками):
- V23806-A8-C13 (базовая модель)
- V23806A8C13 (тот же номер, часто пишется без дефисов)
- V23806-A8-C13-000 (возможен суффикс для обозначения версии/упаковки)
Совместимые / аналогичные модели от других производителей (требуется проверка datasheet и pinout!):
- SEMIKRON: SKM 50 GB 063 D (аналогичный класс, но может отличаться током и корпусом).
- Fuji Electric: 2MBi 50U-060 (серия 2MBi, требует проверки распиновки).
- Mitsubishi Electric: CM50DY-12H (более старая серия, требует тщательной проверки).
- IXYS (Littelfuse): Модули в корпусе SEMITRANS.
Важно: При замене необходимо строго сверяться с Datasheet по следующим параметрам:
- Распиновка (Pinout) выводов (G1, E1, G2, E2, Collector, Emitter).
- Габаритные размеры и расположение монтажных отверстий.
- Электрические характеристики (VCES, IC, VCE(sat)).
- Характеристики диодов (время восстановления, VF).
Области применения
- Частотно-регулируемые приводы (ЧРП) малой и средней мощности.
- Инверторы для электропривода, солнечных электростанций.
- Источники бесперебойного питания (ИБП).
- Импульсные источники питания большой мощности (сварочные аппараты, зарядные устройства).
- Промышленные системы управления двигателями.
Примечание: Для актуальной информации и проектирования новой схемы всегда рекомендуется обращаться к официальному даташиту (Datasheet) на сайте Infineon.