Infineon V23818-C8-V15

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon V23818-C8-V15.

Описание

Infineon V23818-C8-V15 — это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), выполненный в классическом корпусе TO-247. Этот компонент является частью легендарной линейки IGBT 3-го поколения (TrenchStop 3) от Infineon, которая славится оптимальным балансом между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и быстрым временем переключения.

Основное назначение: Этот IGBT предназначен для использования в сильноточных и высоковольтных импульсных схемах, где требуется надежное и эффективное переключение. Он идеально подходит для:

• Силовые инверторы (например, сварочные аппараты, источники бесперебойного питания).
• Импульсные источники питания (SMPS) высокой мощности.
• Приводы двигателей (промышленные частотные преобразователи).
• Системы индукционного нагрева.

Ключевая особенность: Суффикс -V15 в парт-номере указывает на напряжение коллектор-эмиттер (Vces) = 1500 В. Это делает его применимым в схемах с высоким входным напряжением.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | Vces | 1500 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Непрерывный ток коллектора | Ic @ 25°C | 8 А | При температуре корпуса 25°C. | | Ток коллектора импульсный | Icm | 16 А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Vce(sat) | 2.85 В (тип.) | Ключевой параметр, определяет потери проводимости. При Ic=8A, Vge=15V. | | Пороговое напряжение затвора | Vge(th) | 5.5 В (тип.) | Минимальное напряжение для открытия транзистора. | | Энергия включения/выключения | Eon / Eoff | 0.55 мДж / 0.65 мДж (тип.) | Определяет динамические (коммутационные) потери. | | Общая рассеиваемая мощность | Ptot | 35 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Температура перехода | Tj max | +150 °C | Максимально допустимая. | | Тип корпуса | - | TO-247 (изолированный) | Стандартный корпус для силовых компонентов. | | Встроенный обратный диод | - | Да (Fast Diode) | Позволяет работать с индуктивной нагрузкой без внешнего диода. |

Парт-номера и Совместимые модели

Этот конкретный IGBT имеет несколько вариантов маркировки и ряд аналогов от других производителей.

1. Прямые парт-номера Infineon (полные и альтернативные):

• SPW15N150C3 — это основной и полный парт-номер для V23818-C8-V15. Именно его нужно указывать в спецификациях и при поиске на сайтах дистрибьюторов (Mouser, Digi-Key, TME и др.).
• V23818-C8-V15 — это код, нанесенный на корпус устройства (date code или product marking). Он используется для визуальной идентификации.
• IKW15N150C3 — еще один парт-номер от Infineon, обозначающий тот же чип в том же корпусе. Часто используется как полный аналог.

2. Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При поиске замены важно учитывать ключевые параметры: Vces=1500В, Ic=8А, корпус TO-247, наличие встроенного быстрого диода.

• ON Semiconductor / Fairchild: FGH15N150C (очень близкий аналог по характеристикам).
• STMicroelectronics: STGW15NC150HD (серия HD с улучшенными характеристиками диода).
• IXYS (Littelfuse): IXGH15N150C.
• Toshiba: GT15Q101 (требуется проверка распиновки и характеристик диода).

Важное предупреждение по замене: Несмотря на схожесть основных параметров, всегда необходимо тщательно сравнивать датшиты (технические описания) перед заменой, особенно такие параметры как:

• Внутренняя емкость затвора (Cies, Coes, Cres).
• Задержки включения/выключения (td(on), td(off)).
• Характеристики встроенного обратного диода (Vf, trr).
• Распиновка корпуса (расположение выводов Collector, Gate, Emitter).

Рекомендация: Для гарантированной совместимости и надежности работы схемы лучшей заменой является оригинальный парт-номер Infineon SPW15N150C3 или его прямой аналог IKW15N150C3.