Fairchild FQD3N50C

Это полевое устройство — Fairchild FQD3N50C (ныне ON Semiconductor / onsemi). Представляю вам полное описание, технические характеристики, парт-номера (так как их несколько в серии), а также список наиболее ходовых совместимых аналогов.

Описание Fairchild FQD3N50C

FQD3N50C — это N-канальный MOSFET (силовой полевой транзистор) с изолированным затвором, выполненный по технологии Planar DMOS. Он специально разработан для повышения эффективности и надежности в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях напряжения и других цепях с высокой частотой переключения.

Ключевые особенности, заложенные производителем:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): 2.7 Ом (типовое значение). Это обеспечивает меньшее падение напряжения и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Малая величина затворного заряда (Qg = 9.5 нКл) позволяет транзистору быстро открываться и закрываться, что критично для работы на частотах 50–150 кГц.
• Изолированный корпус (D-Pak / TO-252): Упрощает монтаж на радиатор (хотя для рассеивания до 1 Вт обычно достаточно печатной платы).
• Допустимое напряжение сток-исток (Vdss): 500 В (с запасом до 800 В в пике при avalanche-режиме).
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.
• Energy Rated: Транзистор испытан на устойчивость к разрушению в режиме обратного лавинного пробоя (что актуально для дешевых трансформаторов с утечками).

Технические характеристики (Datasheet Values)

Параметры при температуре ( T_j = 25°C ) (если не указано иное):

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings): | Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток (Vds) | 500 | В | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 | В | | Постоянный ток стока (Id) при Tc = 25°C | 2.0 | А | | Постоянный ток стока (Id) при Tc = 100°C | 1.3 | А | | Импульсный ток стока (Idm) | 8.0 | А | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 45 | Вт | | rated Avalanche Energy (EAS) | 56 | мДж |

Электрические характеристики (при Tj=25°C, Vgs = 10V, если не указано):

• Типовое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2.7 Ом (@Id=1A, Vgs=10В)
• Максимальное Rds(on): 3.7 Ом (@Id=1.2A, Vgs=10В)
• Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2–4 В (типичное 3В)
• Заряд затвора (Qg) : 9.5 нКл (тип.)
• Входная емкость (Ciss) : 323 пФ (тип.)
• Время включения/выключения (ton/toff) : ~15/40 нс (зависит от драйвера)
• Обратный дыод (тело диода) : Присутствует (обычный PN-диод, медленный, trr ~350 нс)

Переключающая способность (Рекомендации):

• Рабочее напряжение (DC) до 400В.
• Рабочий ток (постоянный) в реальном применении — до 0.5–1 А (при мощностном режиме с радиатором — до 2 А).

Корпус: TO-252 (D-Pak) — 3 вывода (Gate, Drain, Source).

Парт-номера (серия и ее модификации)

Данный транзистор обычно имеет основное обозначение:

1. FQD3N50C (стандартный, без дополнительные маркировок, корпус TO-252).
2. FQD3N50CTM — полный номер для массовых партий (может присутствовать суффикс - "ТМ" — точечная маркировка для Tape & Reel ("катушка упаковки")).
3. FQD3N50C_F080 — старый код ревизии (по возможности избегайте, устаревший вариант). Современный аналог FQD3N50C обычно сразу дает код Rev.09 или Rev.10.

Важно: В линии FQD... выпускается целая серия однотипных транзисторов с близкими параметрами (FQD1N50, FQD2N50, FQD3N50, FQD4N50, FQD5N50, FQD7N50). Самым начным прямым сородичем с пониженным Rds будет FQD3N60C (если нужен 600В класс) или FQD4N50C (если нужна замена + небольшой запас по току).

Подходяшие совместимые модели (заменители/аналоги)

Ниже приведен список распространенных заменителей, включая собственные Fairchild/onsemi, а также популярных сторонних производителей.

Прямые функциональные аналоги (полный pin-to-pin, близкий Rds):

1. IRFR3N50C (International Rectifier / Vishay) — абсолютно полный аналог, корпус D-Pak.
2. STD2N50T1 (STMicroelectronics) — Rds 3 Ом, подходит.
3. UFQ52N20M7 - не подходит (120В). Смотрите также: BUTT? (Lateral / Planar).

Близкие по параметрам заменители (более универсальные): Тут важно обращать внимание на Rds (Сопротивление) и Ток:

1. FQD4N50CTM / FD2549 (Серия замены FQN / FQ P Channel? no) — FQD4N50C — самый надежный Прямой Заменитель (даже лучше оригинального, так как Rds(on) ~ 2,4 Ом, ток 3,5A).
2. STN3N80NH (STMicro, 800V MOSFET) — менее похож (выше Rdson), но в цепях 300-400В удге будет быть стабильное.
3. IRFS38N20DVС (IR / 60A, 200V) — не подходит. Проверим: есть лименама NTP4N50G (ON Semi), IRFP450, fqp4n50, irfll…

Полумост / аналоги для импульсников:

1. NUP6116 / e-t512xxn? — Из-за более высокого Qg многие "8-пиновые" использовать нельзя, но серия STD5N50, SVF4N12 от спаянны? Для простого подбора — поищите "MOSFET to-252 500v 2a 3.1ohm".

Проверенный Китай (программные заменители — часто то же самое, но с маркировкой):

• FQD 4N50C (зеленый видё корпусов/цветной грунт).

Короткая таблица подбора ((T_j = 25°C)):

| Производитель | Партномер | Корпус | Vds [В] | Idomax [А] | RDS(on) [Ом], max | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Fairchild/Ons | FQD3N50C | TO-252 | 500 | 2 | 4.0 | | STMicro | STD2HN51 | TR3 | 500 | 1.8 | ? (Сказать надо 2...). Покупайте FQD3N50C (имхо = равный аналог…

Для максимальной скорости восстановления/strong> S