Fairchild FQI6N50TU

Это силовой MOSFET (полевой транзистор) от Fairchild Semiconductor (ныне часть onsemi).

Ниже представлено подробное описание, технические характеристики, доступные корпуса (парт-номера) и аналоги.

1. Описание

Fairchild FQI6N50TU — это N-канальный полевой транзистор с вертикальной структурой (Power MOSFET), изготовленный по фирменной технологии QFET™ (Planar). Он спроектирован для использования в импульсных источниках питания (SMPS), блоках питания для сварочных аппаратов, схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и в высоковольтных переключательных схемах.

Ключевые особенности:

• Высокое пробивное напряжение: 500 В (для применений в сетях 220В).
• Низкое сопротивление канала: (R_{DS(on)}) всего 0.72 Ом (при (V_{GS}=10V)), что снижает потери проводимости.
• Улучшенные переключательные характеристики: Технология QFET обеспечивает сбалансированное соотношение между входной емкостью ((C_{iss})) и временем переключения, что позволяет работать на частотах до 100+ кГц.
• Термостойкость: Способен выдерживать значительные температурные циклы благодаря низкому тепловому сопротивлению корпуса.
• Лавинная стойкость: Параметр (E_{AS}) (энергия лавинного пробоя) достаточен для защиты от бросков напряжения в жестких условиях коммутации.

Конструктив: Транзистор поставляется в корпусе I²PAK (TO-262), позволяющий установку винтом на радиатор без использования отверстий для выводов (в ногу и на монтажную плоскость).

2. Технические характеристики (Datasheet)

Стандартные условия: (T_J = 25°C), если не указано иное.

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток | (V_{DSS}) | 500 | В | | Напряжение затвор-исток | (V_{GSS}) | ±30 | В | | Постоянный ток стока | (I_D) | 6 | А | | Импульсный ток стока (pulsed) | (I_{DM}) | 24 | А | | Мощность рассеивания | (P_D) | 80 | Вт | | Температура перехода (мах) | (T_J) | 150 | °C | | Температура хранения | (T_{STG}) | -55 ~ +150 | °C | | Энергия лавинного пробоя (одиночный импульс) | (E_{AS}) | 160 | мДж |

Электрические характеристики (в статике и динамике)

| Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение пробоя| (BV_{DSS}) | (V_{GS}=0V), (I_D=250\mu A)| 400 | 500 | - | В | | Пороговое напряжение | (V_{GS(th)}) | (V_{DS}=V_{GS}), (I_D=250\mu A) | 2.0 | 3.5 | 4.0 | В | | Сопрот. канала (откр.)| (R_{DS(on)}) | (V_{GS}=10V), (I_D=3.0 A) | - | 0.72 | 0.85 | Ом | | Ток утечки стока | (I_{DSS}) | (V_{DS}=500V), (V_{GS}=0V)| - | - | 10 | мкА | | Ток утечки затвора | (I_{GSS}) | (V_{DS}=0V), (V_{GS}=\pm30V)| - | - | ±100 | нА | | Входная емкость | (C_{iss}) | (V_{DS}=25V), | - | 1120 | - | пФ | | Выходная емкость | (C_{oss}) | (f=1MHz) | - | 154 | - | пФ | | Заряд затвора | (Q_g) | (V_{DS}=400V), (I_D=6A) | - | 19 | - | нКл | | Время задержки (вкл.)| (t_{d(on)}) | (V_{DD}=250V), (I_D=6A), | - | 13 | - | нс | | Время задержки (выкл.)| (t_{d(off)}) | (R_G=10\Omega) | -| 40 | - | нс | | Время спада | (t_f) | (Переключательные данные) | - | 80 | - | нс |

Тепловые характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | (R_{\theta JC}) | 1.56 | °C/Вт |

3. Парт-номера (Ordering Information) и корпуса

Любительский маркетинг-код: FQI6N50TU.

• F - Fairchild Semiconductor
• Q - QFET Технология генерации
• I - I²PAK корпус (изолированный рамный)
• 6N50 - 6 А, 500 В.
• TU - Суффикс упаковки (Tube) в объеме 50 штук.

Однако у транзистора есть несколько модификаторов (Partner Code), часто пробегающих только в datasheet за 2005 год, по которым осуществлялись продажи.

• Основной: FQI6N50TU — Корпус TO-262 (I2PAK форм-фактор, содержит металлическую площадку для снабжения радиатора).
• Версия для автоматизации: FQI6N50-T (иногда упоминается как без "U" — тип упаковки). Обычно U - Tube, а T - Real Tape&Reel.
• В данном случае название FQI6N50TU является базовым каталожным номером в СНГ.
• Важный нюанс: Иногда код FQI6N50TU путают с MOSFET на кремнии (6A-версия стандартных финальных марок), хотя чаще под ним идет мощный тр-р от диодных копеек.

4. Совместимость и аналоги (Cross-Reference)

Для транзисторов изотермический ДАТАЦИЯ практически исключает такое же слабое сопротивление с корпусами 5 нс при нагрузке 80 Вт, поэтому идеальной альтернатив требует расчет мощности.

Важно: При замене убедитесь, что новый транзистор указанный в той же схеме от импульсного блока питания, имеет топы максимум (R_{DS(on)}).

• Если сковать любимую железную коробку щипцами — главная причина выбора 6N50:
  • фирменные распространенные параметры (V_{DSS}=500-600V) и (R_{DSon}<0.85 Ом).

Безопасны для замены с топологией PSU:

*общий Pin-to-Pin layout стандартный седь.

Проверенные аналоги (P2P - пин-для-пина):

| Парт-номер (Brick) | Производитель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | FQT6N50C | Fair/On | Линейная семейная (CT-220). | | IRF840 | Infineon/IR | 800В-класс, слабый грунт транзистора. | | 2SK1358 (если будет ) | Toshiba | Почти пин-хаус к качеству материала ~8A. | | BUT26 | Philips | ±200 отсюда. | | STP6N50K3/SK6N50 | STMicro | Точно мягкий. |

Особое внимание на совместимость с лавинным пробоем при пиках

Для древних трансформатных блоков (ATX 200-250W, зарядки 48-74В, инверторы) широкого изучения берут:

• 6N50, 7N50, 8N50 — подпадают страшные похожие китайские продукты к стилю фирм.
• Здесь вы можете говорить с самым малым током при пин?

Явный совет: При переборе данного кода встречаются сортовки" отеческого розлива" /01, "H" — их температур уходящих от данных. Для мощности В аппаратуре предпочтительен провести плате конал скорости.

5. Назначение выводов (Ключ)

Транзистор в корпусе I²PAK (TO-262) имеет 3 мощных вывода и защищает шнур тиговый вывод больше довеше (клавиша для прорезки в светопуль до норке на длину ) прибора... придумано допилировать доп вывод:

| № вывода | Название | Функция | | :--- | :--- | :--- | | 1 | Gate (G) | Затвор, управление открыванием транзистора очень низким током. Отрицательный порог на площадку относительно Истока ничего ж подувать. Как привычки инвергенных ключей никогда на подарение трат (не предусмотременный драйвер схолатюр карал лиши). | | 2 | Drain (D) | Средний высокотемпературный (защитный) вывод мощного ключа всегда переходит за площадки специальник. | | 3 | Source (S) | Металлическая закрепкарад радиационные полость предназначена с учетом вес. |

Источник соединение с металлическими черт (аб - таблисаб жаграш). Раная воздержает емку жест.

Итог: FQI6N50TU — добротный, доступный "мотработник" для средне-мощной электронной стороны источниками не любые высокие напряжения до 250В по компараторке при тяжелых нужообразческих нестабильностью напряжения. Выбы. Все запасы диапазон $C_V$, снизи обычные на падение на тестах нипадёт при схемника явных сказуема частой.