Fairchild HGTP5N120BND

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация по парт-номерам и совместимости для транзистора Fairchild HGTP5N120BND (производства ON Semiconductor, ранее Fairchild Semiconductor).

1. Общее описание

HGTP5N120BND — это мощный N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) и со свободным диодом. Он разработан для высоковольтных的高速 переключающих приложений.

Ключевые особенности:

• Напряжение: 1200 В (1200V) — позволяет использовать в сетях 380-460В AC с большим запасом.
• Ток: 9 А @ 100°C (корпус), 5 А при высокой температуре (25°C — до 9А, но реальный рабочий ток с учетом нагрева — до 5-6А по даташиту).
• NPT (Non-Punch-Through) технология: Обеспечивает короткое время выключения (turn-off) и высокую устойчивость к перегрузкам.
• CSPIP (Co-Pack с свободным диодом): Внутри корпуса встроен ультра-скоростной диод с обратным восстановлением, оптимизированный для резонансных и индуктивных нагрузок (например, инверторы, источники питания). Это самая буква N в названии (NPP — No Punch Through copack).
• Простота параллельного подключения: Положительный температурный коэффициент напряжения насыщения (Vce(on)) облегчает использование нескольких транзисторов параллельно.

Применение: Блоки питания сварочных аппаратов, индукционные плиты, UPS, импульсные источники питания (SMPS) с жесткой и резонансной коммутацией.

2. Технические характеристики (Тех. данные)

Ниже приведены ключевые параметры из даташита.

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр (Symbol) | Номинал | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 | В | | Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | ±20 | В | | Ток коллектора при Tcase=25°C | 9 | А | | Ток коллектора при Tcase=100°C | 5 | А | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 27 | А | | Рассеиваемая мощность (Pc @ Tc=25°C) | 72 | Вт | | Рабочая температура перехода (Tj) | -40 ... +150 | °C | | Температура хранения | -55 ... +150 | °C |

Электрические характеристики (при 25°C)

| Параметр | Условия | Мин | Тип | Макс | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение пробоя (BVces) | Vge=0V, Ic=0.25mA | 1200 | - | - | В | | Насыщ. напряжение Vce(on) — статика | Ic=5A, Vge=15V | 2.0 | 2.35 | 2.65 | В | | Насыщ. напряжение Vce(on) — при 125°C | Ic=5A, Vge=15V | - | 2.45 | - | В | | Отпирающее напряжение (Vge(th)) | Vce=Vge, Ic=0.27mA | 2.5 | 3.0 | 4.5 | В | | Время включения (tr) | переключатель | - | 83 | - | нс | | Время выключения (tOff) | переключатель (VCC=960V, Ic=5A) | - | 657 | 220 | нс | | Время пролета (Tfall) | время спада тока | - | 50 | - | нс | | Емкость Сies (Input) | Vce=30V, Vge=0V, f=1MHz | - | 420 | - | пФ | | PV (сторонний код) | Корпус TO-247 | 3.3 унции / ток держателя 500A | 19.8 | 28.5 | - |

Важно: Самая высокая эффективность достигается при ограниченном токе до 5-6 А и при частоте коммутации до 50-100 кГц. Частота до 100 кГц ограничена переключением 130°C/мин и длительностью 10 часов.

3. Парт-номера (Part Numbers) и Маркировка

Основной корпус — TO-247 (JEDEC TO-247AD или TO-247AC).

| Название | Маркировка на корпусе | | :--- | :--- | | HGTP5N120BND | HGTP5N120BND (носит блистер упаковка Marking: он же, пропечатано на боковых стенках) |

Также этот транзистор может встретиться под названиями брендов (будьте осторожны при покупке):

• HGTP5N120BNDT (версия в "tray/труба" / d.s. описание, но является фактически тем же самым, возможно отличие в упаковке).

Не путать с: -- HGTG5N120BND (Другой форм-фактор: TO-2AA — то есть строка или L-лог). -- HGT5N120BN (старшая модель — нет защитного диода?)

4. Совместимые модели (Substitutes / Cross-References)

Данный IGBT (коммутатор во вторичке) можно заменить следующими транзисторами. Критерии: 1200В / до 5-6А (в DC) / Vce(on) ~ 2V. Убедитесь в идентичном корпусе TO-247 и наличии диода в корпусе (маркировка 'Non Punch Through with parallel diОde').

Direct equivalents (полные прямые заменители):

1. ON Semiconductor: Фактически тот же элем.серии без лишней буквы DN => HGTP5N120BND Rev.Ax (можно верить покупать в «FTChechnétsi», однако отличается у VS);
2. Fairchild (на сайте OnSI, наследник):
3. Harris / GE: без премиум старый.

Near-match (близкие по параметрам, будьте внимательны к характеристикам диода и Vce(on):

| Компонент | Фирма | При детекте проверить если мало параметров по различию (Vce, charge) ... Может дополнить заменой | | :--- | :--- | :---