StarPower GD50HCT60L2S

Отличный выбор! StarPower GD50HCT60L2S — это высококачественный IGBT-транзистор, популярный в силовой электронике. Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

StarPower GD50HCT60L2S — это дискретный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокоскоростное управление напряжением) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии при высоких токах).

Основное назначение: Применяется в схемах, где требуется эффективное переключение высоких напряжений и токов с минимальными потерями. Типичные области применения:

• Силовые инверторы (например, сварочные аппараты, ИБП, солнечные инверторы).
• Импульсные источники питания (SMPS) высокой мощности.
• Управление электродвигателями (приводы, ЧРП).
• Системы индукционного нагрева.

Ключевые преимущества этой модели:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В) — обеспечивает надежную работу в сетях 220/380В.
• Высокий ток коллектора (I_C = 50 А) — позволяет коммутировать значительную мощность.
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) — приводит к меньшим тепловым потерям.
• Быстрое восстановление внутреннего диода — важно для индуктивных нагрузок.
• Корпус TO-247 — обеспечивает хороший теплоотвод.

Технические характеристики (Datasheet Parameters)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 В | Максимальное напряжение отключения | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C @ 25°C | 50 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 100 А | Кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | ~1.8 В (тип.) | При I_C=25А, V_GE=15В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 3.0 - 6.0 В | Пороговое напряжение | | Рабочее напряжение затвор-эмиттер | V_GES | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | ~110 нКл | Влияет на требования к драйверу | | Время включения / выключения | t_on / t_off | ~35 нс / ~150 нс | Зависит от схемы драйвера | | Температура перехода | T_j | -55 до +150 °C | Рабочий диапазон | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | ~0.5 °C/Вт | Чем меньше, тем лучше теплоотвод | | Корпус | - | TO-247 (TO-3P) | Стандартный мощный корпус |

Парт-номера и Прямые аналоги

Прямые аналоги — это модели с максимально близкими характеристиками, часто взаимозаменяемые без изменений в схеме. Рекомендуется всегда сверяться с даташитом конкретного аналога.

Основные парт-номера и аналоги:

1. Infineon: IKW50N60T, IKW50N60H3
2. Fuji Electric: 2MBI50N-060
3. ON Semiconductor (Fairchild): FGH50N60SMD, FGA50N60SMD
4. STMicroelectronics: STGW50H60DFB, STGW50H60DLFB
5. Toshiba: GT50QR21 (менее распространен)

Важно: При замене обязательно обращайте внимание на:

• V_CE(sat) — влияет на нагрев.
• Q_g — если драйвер работает на пределе, замена на модель с большим зарядом может привести к проблемам с переключением.
• Скорость внутреннего диода (параметры t_rr, I_RM) — критично для схем с обратной рекуперацией.

Совместимые модели (для замены в большинстве схем)

Эти модели имеют схожие или превосходящие ключевые параметры (600В, 40-60А) и в большинстве случаев могут использоваться для замены GD50HCT60L2S, особенно после проверки по пунктам выше.

• StarPower: GD40HCT60L2S (40А, менее мощный), GD75HCT60L2S (75А, более мощный).
• Infineon: IKW40N60T (40А), IKW75N60T (75А).
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD (40А), FGH60N60SMD (60А).
• STMicroelectronics: STGW40H60DFB (40А), STGW60H60DFB (60А).
• IR (International Rectifier): IRGP50B60PD1 (аналог по классу).

Рекомендация по замене:

1. Лучший вариант — использовать оригинал GD50HCT60L2S.
2. Если оригинал недоступен, ищите прямые аналоги из списка выше (особенно Infineon IKW50N60T).
3. При использовании совместимых моделей с другим током (например, 40А или 75А) оцените запас по току и тепловому режиму в вашем устройстве. Установка более мощного (75А) обычно безопасна, если позволяет место и драйвер. Установка менее мощного (40А) требует проверки на перегрев.

Внимание! Данная информация собрана на основе типовых параметров и предназначена для ознакомления. Перед заменой компонента в критичном устройстве обязательно изучайте официальные даташиты (технические описания) обоих транзисторов и консультируйтесь со специалистом.